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该行续指，故若上述举措落地，将进一步加速国产半导体设备的迭代升级及国产替代进程。该行认为目前国产化率较低的光刻机、量检测设备、离子注入、涂胶显影、刻蚀、薄膜沉积等环节设备将充分受益。投资建议：若国内7nm及更新进工艺芯片进口受限，国内高端手机及高性能运算相关的发展势必受损。7nm及更新进工艺芯片的突破口主要集中在：①前道制程设备加速升级迭代与国产化进程；②先进封装发展提速。上述举措均有望加速半导体设备国产替代进程股票配资APP，当前国产化率较低环节（量检测、离子注入、涂胶显影、刻蚀、沉积等）受